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bipolar bjt mosfet

Definition

Is a current amplifier.

Bipolar Transistor (BJT)

PNP: E->B–C; NPN: C–B->E" />
<figcaption class= PNP: E->B–C; NPN: C–B->E

Cut-Off Voltage

The voltage, where … VBE<0.7VV_{\mathrm{BE}} \lt 0.7V

Linear Region

VBE0.7VV_{\mathrm{BE}} \approx 0.7V

MOS-FET

Drain current

nMos p-dotiertes Substrat, n-dotierte Drain/Source, schlechter pull up

Id={0, für UgsUth0(Sperrber.)β[(ugsUth)uds12uds2], für 0UgsUthuds(linearer Ber.)12β(ugsUth)2, für 0UgsUthuds(Sättigungsber.)I_d = \begin{cases} 0, &\text{ für } U_{gs} - U_{th} \le 0 \text{(Sperrber.)}\\ \beta [(u_{gs} - U_{th}) \cdot u_{ds} - \frac{1}{2} u_{ds}^2], &\text{ für } 0 \le U_{gs} - U_{th} \ge u_{ds} \ \text{(linearer Ber.)}\\ \frac{1}{2} \beta \cdot (u_{gs} - U_{th})^2, &\text{ für } 0 \le U_{gs} - U_{th} \le u_{ds} \ \text{(Sättigungsber.)} \end{cases}

pMos n-dotiertes Substrat, p-dotierte Drain/Source, schlechter pull down

Id={0, für UgsUth0(Sperrber.)β[(ugsUth)uds12uds2], für 0UgsUthuds(linearer Ber.)12β(ugsUth)2, für 0UgsUthuds(Sättigungsber.)I_d = \begin{cases} 0, &\text{ für } U_{gs} - U_{th} \ge 0 \text{(Sperrber.)}\\ - \beta [(u_{gs} - U_{th}) \cdot u_{ds} - \frac{1}{2} u_{ds}^2] , &\text{ für } 0 \ge U_{gs} - U_{th} \le u_{ds} \ \text{(linearer Ber.)}\\ - \frac{1}{2} \beta \cdot (u_{gs} - U_{th})^2, &\text{ für } 0 \ge U_{gs} - U_{th} \ge u_{ds} \ \text{(Sättigungsber.)} \end{cases}